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DMS2120LFWB
Q1, P-CHANNEL MOSFET
10
V GS = -8.0V
V GS = -4.5V
10
V DS = -5V
8
6
4
V GS = -2.5V
V GS = -2.0V
V GS = -1.5V
8
6
4
T A = 150°C
2
2
T A = 125°C
T A = 85°C
0
0
V GS = -1.2V
V GS = -1.0V
1 2 3 4
5
0
0.5
T A = 25°C
T A = -55°C
1 1.5
2
0.14
0.12
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 1 Typical Output Characteristics
0.14
0.12
-V GS , GATE SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Transfer Characteristics
0.1
0.1
T A = 125°C
T A = 150°C
0.08
V GS = -1.8V
0.08
0.06
0.04
0.02
0
V GS = -2.5V
V GS = -4.5      V
0.06
0.04
0.02
0
T A = 85°C
T A = 25°C
T A = -55°C
0
1
2 3 4 5 6 7
8
0
1
2 3 4 5 6 7
8
1.6
1.4
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 3 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
V GS = -2.5V
0.11
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 Typical Drain-Source On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
I D = -2A
0.09
1.2
V GS = -4.5V
I D = -5A
V GS = -2.5V
I D = -2A
0.07
1.0
V GS = -4.5V
I D = -5A
0.8
0.6
0.05
0.03
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
SBR is a registered trademark of Diodes Incorporated.
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 6 On-Resistance Variation with Temperature
DMS2120LFWB
Document number: DS31667 Rev. 5 - 2
3 of 7
www.diodes.com
September 2012
? Diodes Incorporated
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